就在一年后，时任SONY研究员的RB物理学家江崎玲于奈，发表了一篇关于PN结负阻特性的论文，在这篇论文里，江崎玲于奈用自己制造的二极管证明了半导体隧道效应理论。

        而这篇论文的研究方向，实验布置，同诺伊斯规划的几乎一模一样。

        1973年，江崎玲于奈凭借这篇论文获得诺贝尔物理学奖，诺伊斯与巨大的荣誉失之交臂。

        牛人终究是牛人。

        创立仙童半导体后，诺伊斯扬名立万的机会再次降临。

        当时仙童制造硅晶体管的流程是这样的：

        将提纯的硅晶切割打磨成适用的硅片。经过扩散、照相、掩膜、蚀刻等一系列化学物理工序，在一块硅片上生成上百个微小的晶体管，然后依靠大量人力对硅片进行切割，用镊子来连接导线，最后封装成独立的晶体管元器件，如二极管，三极管等等。

        1959年1月，诺伊斯突然产生一个想法：“既然可以在一块硅片上制造这么多的晶体管，为何不把相关连线甚至电容和电阻都一起做上去呢？这样完全可以用一块硅片制造出整个电路来！”

        这就是诺伊斯关于“集成电路”的最初设想，此时身为仙童总裁的他。 。完全有权限利用公司资源去很快实现这种设想。

        然而，诺伊斯性格中致命的懒散习性发挥了作用，或许其中也有肖克利几年强势领导带来的负面影响，没有迫切的推动力，他绝不会急着去主动发明创造。

        于是，他只是在笔记本上记下这个想法后就将它束之高阁，

        直到两个月后，TI公布了一项震惊世界的成果，他们的工程师杰克·基尔比，成功地在一块锗片上集成了一个震荡电路，并已经提交专利申请。

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