还剩两个，直流电弧等离子喷射CVD法和微波等离子体CVD法。

        直流电弧等离子喷射CVD法，也叫DAPCVD法。

        这是一种放电区内隐的直流电弧等离子体沉积法。

        这种方法的优点就是，有极快的沉积速度。

        是极快，不是一般的快！

        在上世纪90年代的时候，就有实验室利用阴阳极呈直角的反应器实现了930mh的高速生长。

        这可是930mh，不是930μmh！

        而且，就算是930μmh，那也是远高于现在四十三所制备金刚石薄膜的40μmh的。

        更不要930mh了。

        相比之下，一个的速度就是火箭，另一个则是自行车。

        或许连自行车都算不上。

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