2001年，amsl推出twins系统和革命性的双段(dual-stage)技术，在对一块晶圆曝光的同时测量对准另外一块晶圆，从而大大提升了系统的生产效率和精确率。2003年，twins at:1150i成为首台浸入式设备，2006年首台量产的浸入式设备twins xt:1700i发布，2007年，首个193n浸入式系统twins xt:1900i发布。这些创新的系统让客户可以生产更小尺寸的芯片，其特点是可以让光经过透镜组和晶圆之间的一层水实现投影。

        浸入式光刻技术来自台积电的林本坚博士一个建议。在那之前，全球的半导体工业都为超越193n刻绞尽脑汁，但是先后失败。只有林博士提出的这个工程师相对简单的办法最后成功。从那以后，浸入式光刻一直做到如今的7n正是凭借浸入式光刻的突破，让asml超越尼康，一跃成为全球光刻机市场的新霸主。

        接下来光刻机的竞争进入euv（极深紫外）时代。目前全球最先进的euv光刻工艺使用的是13n源，能够满足7n宽制程工艺的要求。全球能够达到这种水平的光刻机制造商暂时只有一家——asml。

        2001年，asml收购美国硅谷集团svg，获得关键的157n学技术，也因此得以进入美国市场。2007年，asml收购领先的半导体设计和制造优化解决方案提供商brion，开启整体(holistic)光刻战略。2008年，又首次发售支持实时测试纠正的yieldstar（250d）系统，在整体光刻上更进一步。2010年，asml首次发售概念性的euv光刻系统nxw:3100，客户是一家亚洲流片公司的研发机构，从而开启光刻系统的新时代。euv光刻采用更短波长的光来制造更小特征尺寸，更快也更强大的芯片。

        2013年，asml收购美国加州圣地亚哥的光刻光源厂商cyr，加快euv系统研发，同年，asml发售第二代euv系统nxe:3300，2015年又推出第三代euv系统nxe:3350。2016年，第一批面向制造的euv系统nxe:3400开始批量发售给客户。在这个时候，asml继续改进浸入式光刻技术，先后推出nxt1970xt1980di，这两款设备被全球的半导体工业广泛部署。

        2016年，asml进一步扩展整体光刻产品线，并购台湾hers microvision（hmi）公司，一家领先的电子束计量公司，并在一年后成功推出整合两家公司技术的epf系统。在荷兰电子束光刻公司mapper破产后，asml收购了其ip资产，还延揽了其研发人员。

        纵观光刻机产业的历史和asml的发展故事，我们可以看到，坚持，对新技术趋势的准确判断与把握，持续不断的研发投入，充足的资本保障是asml能在30多年时间里从小到大，一跃成为全球光刻机行业龙头的关键要素。

        和asml同时起步，甚至更早的上海微电子（smee）的光刻机却没有发展起来

        在我掌握了这些技术研究的大致方向，技术细节交给技术人员来试验，我相信我可以做得比asml要更好，资金更充足的情况下，我研发的周期肯定可以大大缩短。

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