但就算如此，它的价格依旧略显昂贵，并未给闪存带来真正意义上的普及。

        真正让闪存普及的，其实是TLC——TrinaryLevelCell，翻译过来就是三重单元。

        它每个cell单元能存储3bit信息，需要更复杂的制程和电压控制。

        缺点一如既往。

        然而，它却是让闪存走进千家万户的绝对功臣。

        以至于，到了后面还诞生了QLC——每个cell单元能存储4bit信息，容量更大，但更慢，寿命更短，但成本也能压缩到更低。

        并且，来自后世的苏远山知道，在闪存产品的发展过程中，闪存的架构只是制约产品读写速度的因素之一，甚至都不是最大的因素。

        最大的因素其实是数据传输的接口协议标准，其次主控芯片和相关技术，最后才轮得到架构。

        就像即将诞生的USB1.0协议，虽然在远芯和星海的倡议下，采取了比较激进的方案，全速状态下也只有48Mbps的传输速率——这已经是历史上12Mbps的四倍了。

        在这种协议下，就算你用最牛逼的主控芯片和最牛逼的闪存颗粒，它也慢。

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