从沟道到堆陷，再到p，n掺杂，刻蚀清洗，离子注入，氧化蒸发，气相沉淀……整套流程下来，少说也有几十个步骤。

        这一套工艺下来，技术或许可以不用革新，但步骤却需要重新设计。就不说还要面对诸如cell单元漏电，栅多晶硅附着不良这些老大难问题了。

        玩工程不像玩材料，欧皇就行。新工艺都是靠钱、时间和寂寞才能堆得出来。

        ……

        沉默几秒后，苏远山慢慢道。

        “设计和工艺，就像两条腿。无论是一个新架构的诞生也好，还是制程的突破也好。都会带动整个行业的前进。”

        苏远山抿了抿嘴，认真地斟酌着语言：“但从大规模集成电路出现到现在，半导体的发展主要还是在享受制程突破所带来的红利。大家看看制程节点，再算算晶体管数量就知道。”

        “但制程终归是有上限的，在可预见的未来，制程的突破一定会变得艰难。而那时，架构的提升，便是拯救摩尔定律的唯一出路。”

        苏远山眼前闪过记忆，正是在光刻机的光源止步于duv193n时，ffet（鳍式场效应晶体管）的思路出现了，gaa（围栅结构）的思路也出现了，同时更激进的euv方案也出现了。

        “现在我们不仅仅是制程落后，如果在架构上也不能领先别人……那么，将来怎么和别人干架？”

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