光刻技术最早于1958年开始应用，并实现了平面晶体管的制造，也是IC制程中最重要的模块。

        光刻的过程是在硅片表面上匀胶，然后将掩模版上的图形转移到光刻胶上的过程，是将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程。

        光刻在整个硅片加工成本中几乎占三分之一。

        光刻占40%到50%的流片时间，它决定晶圆最小特征尺寸。

        半导体硅片在进行光刻之前有一系列清洗、涂光刻胶等过程，光刻后还有显影、清洗等工艺。

        这一次的技术验证，自然不可能从最开始的环节开始。

        前期的材料自然是早就准备好了，单晶硅棒已经被切割成了薄片。

        这一点，国内的单晶硅和晶圆片，也已经取得了一定的突破。

        值得多提一句的是，这一次使用的正是来自魔都新胜半导体生产的。

        至于设计者张如京也在今年从魔都新胜半导体离职，加入了银河科技。

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