三星一家就吃了将近一半。

        华夏企业在DRAM领域的存在感？

        零。

        连设计都没有，更别说量产。

        “陈总。”蔡永芯握紧了扶手，“DRAM的技术门槛比NAND更高，我们目前——”

        “我知道。”陈星再次打断了他，但语气里没有不耐烦。

        “DRAM的事情不急，先把NAND做起来，跑通整个流程，让你们的工程师积累经验。”

        “蔡总，NAND和DRAM的制造工艺有超过60%的共通性，你比我更清楚。45nm的NAND做熟了，往DRAM的切换，难度会小很多。”

        蔡永芯没反驳。

        因为陈星说的是事实。

        NAND和DRAM虽然是两种不同的存储芯片，但在制造端——光刻、刻蚀、薄膜沉积、离子注入——这些核心工艺步骤高度重叠。

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