而到了后面，之所以行业的巨头成为了阿斯麦，始于21世纪初的157nm光源干刻法与193nm光源湿刻法的技术之争。

        进入90年代，光刻机的光源波长被限制死在193nm，成为了摆在全产业面前的一道难关。

        光刻机的光源就相当于刻刀，要雕刻的更精细，刀尖就得锋利，而当刀尖技术卡住了，也意味着芯片制造技术面临瓶颈。

        以尼康为代表的公司主张采用157nm的F2激光，继续研究光源技术。

        米国的一些公司则是押注更激进的极紫外技术，也就是后世赫赫有名的EUV光刻，试图直接用十几纳米的极紫外光来做光源。

        但是两者的需要克服的障碍都很多，进程非常慢。

        前一世的2002年，鬼才林本健横空出世，他在一次交流会上，首次提出“沉浸式光刻”方案。

        他的理论听起来很简单，就是利用水会影响光的折射率这一高中知识，在透镜和硅片之间加一层水，这样原有的193nm激光经过折射，不就直接越过了157nm的瓶颈，降低到了132nm吗？

        随后，林本健带着他的沉浸式光刻方案前往米国、岛国、德国等地，游说各家半导体巨头，但都吃了闭门羹。

        在这些巨头门看来，这只是理想情况，在精密的机器中加水构建浸润环境，既要考虑实际性能，又要担心污染，如果在这种“替代方案”花费精力，耽误了光源的研究，就有可能被对手反超。

        内容未完，下一页继续阅读