文档的第一章是存储单元结构设计。陈云海从第一页开始看，看了大约十页后把手指按在其中一张电路示意图上。

        “这个浮栅结构的隧穿氧化层厚度你们取了多少？”

        “7.2纳米。”陆远江不需要翻文档，直接回答。

        “比三星的公开参数薄了将近一个纳米，你们做过可靠性验证吗？擦写一万次以后的氧化层退化情况怎么样？”

        陆远江从移动硬盘里调出一份SpreadSheet，转过笔记本电脑的屏幕让陈云海看。

        “擦写一万次后氧化层阈值电压漂移0.3V，在可接受范围的边缘，我们后续会在量产版本中把厚度调回到7.5纳米，牺牲一点写入速度换可靠性。”

        陈云海盯着屏幕上的数据曲线看了几秒，手指沿着横轴从一千次滑到一万次。

        曲线的走势是对的。前两千次几乎是平坦的，两千次到五千次开始有可见的上升，五千次以后斜率增大。

        这个退化曲线的形状和他在学术文献里看到的三星同类产品的公开数据高度一致。

        “你以前在奇梦达做的是DRAM。”

  The content is not finished, continue reading on the next page