陈云海说这句话的时候抬起头，直接看着陆远江。

        陆远江点了一下头。

        “DRAM和NAND的工艺相通性确实超过60%，但剩下那40%的差异——存储单元结构、多值存储的编程算法、坏块管理策略，这些跨得过去吗？”

        坐在一旁的赵利剑和李文海都把目光投向了陆远江。

        这个问题不是随便问问，这是整份报告最核心的质疑点。

        一个做DRAM出身的团队转做NAND，跨度有多大？

        陆远江的回答不急不慢。

        “陈院士，您说的这40%的差异确实是我们遇到的最困难的部分,坦白讲，奇梦达时期我们的DRAM设计经验在存储阵列的布局、位线驱动电路、灵敏放大器这些方面帮了很大的忙，但在NAND特有的浮栅编程策略和多值判读上，我们走了接近一年的弯路。”

        “这是我们的ISPP编程算法方案，增量步进脉冲编程，每一步的电压步进量从最初的0.5V调到了0.2V，付出的代价是编程时间增加了约40%，但换来了阈值电压分布的收窄，多值存储的误码率控制在了10的负15次方以下。”

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